较OK，纸面参数比骁龙800还要强一点点。
但是！
漏电问题在HPM工艺下，也开始随着主频拉高而暴露了。
想了想，陈星按了一下桌面上的通话器。
“小沈，去请陆教授过来一趟。”
大约十坤分后，陆远江才过来，进门看到俞学林也在冲着他点了点头，然后说道：
“陈总，不好意思，实验室那边在跑一组频率稳定性测试，走不开。”
“没事，坐。”
陈星指了一下沙发，陆远江在俞学林旁边坐下。
“陆教授，俞总刚跟我说了H3的热阈值调试还在进行，目前还有问题？”
陆远江点了下头，没有任何遮掩。
“是的，坦白说问题比我预期的要顽固一些。”
“具体说说。”
“陈总，那我直说了，芯片主频拉到2.6GHz以后，功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”
“芯片主频越高，需要的核心电压越高。CPU的功耗和电压的平方成正比，同时和频率成正比。”
“HPM工艺本身的特点就是静态漏电流比LP工艺更大，主频越往上拉，越逼近工艺极限频率，晶体管的漏电就越厉害。”
“通俗点说，就是芯片在什么都不干的时候，也在发热。”
陈星点头，这些基础原理他也清楚。
俞学林插了一句，“空闲都在发热？那干活的时候岂不是……”
“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下，“对比膏通骁龙800的2.3GHz到我们的2.6GHz，频率提升了大约13%，但核心电压也相应提升了，综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”
“这就是发热的根源之一。”
陈星没说话，等他继续往下讲。
陆远江搓了搓手，“我们团队做了一组和骁龙800的详细对比数据，陈总你看一下。”
“骁龙800这颗SoC，短时峰值功耗大约在4.2到4.5瓦之间，可持续稳定释放在2.8到3.2瓦。”
“我们凌霄H3呢，可持续稳定释放是3.3到3.5瓦。这个差距不大，在可接受范围内。”
陈星和俞学林对视了一眼，峰值功耗压得比骁龙低，说明芯片本身的能效比不错，起码比膏通的骁龙800要强。
“日常轻负载的时候，比如
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