和陆远江并肩走进红星的魔都总部中心，关于碳基半导体的进程，陈尘在之前的汇报中也都看过。
目前面临的困难仍然是走出实验室后，在大规模量产上面无法做到一致性。
芯片要求碳纳米管的半导体型纯度需要达到99.9999%以上，在实验室中的小规模实验，严苛控制杂质纯度可以达到99.999999%，但在大规模制备上面，却无法达到这样的纯度。
工业量产中，之前用到的气相沉积工艺，难以消除金属型杂质，这些残留的金属管杂质会导致电路断路和性能波动。
除了原材料提纯的困难外，其次就是封装工艺的问题。
现有的硅基方案的封装工艺，不适合碳基芯片，这就对新的封装技术提出了很大的要求。
陆远江他们采用的新型工艺叫做原子沉积保护层，这部分进展同样有点不太理想。
就算是有应龙的加入，很多的实验模拟，演算全部都放在了超级计算机以及算力中心上面。
可这些只能是辅助，一切还需要有人去告诉机器该做什么。
“CVD系统进展怎么样？上次开会老徐也没提这件事。”
陆远江想了想说道：“这个高纯度材料制备设备，徐总和蔡总他们一直在结合我们自己的产业链进行努力突破，这三年多差不多投进去了有900多亿，现在雏形是基本建立了。”
“后续我们如果能解决工艺问题，随时可以拉起来一整套完整的产业链。”
华夏的半导体产业链，经过这些年的发展，其实对设备和系统是不缺的，就像原材料提纯制备设备和系统，厂家可以拿出定制的设备来。
但是工艺这个东西，就是得一次次的实验和验证，不然空有设备，没有工艺，依然无法做到量产。
提纯制备工艺，封装工艺要是被解决，那华夏瞬间就可以拥有一整套完整的碳基半导体的产业链。
“这是我们设计的一款碳基芯片，上面集成了30亿个碳纳米管晶体管，工艺为40纳米。”
“实验室量产了一批，大概有300多枚，一部分拿去做封装测试，一部分拿去做了老化测试，还有一些在做性能测试。”
“性能上面的话，差不多相当于咱们的第二代5nm硅基工艺，但能效比更高。”
“
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